PRE 3

Předzesilovač PRE 3 je diskrétní předzesilovač s komplementárně-diferenciální topologií vstupních obvodů, ve kterých jsou použity tranzistory JFET firmy Toshiba. Ve výstupních obvodech jsou použity robustní tranzistory MOSFET firmy Hitachi. Napájecí napětí je dodatečně filtrované kapacitními násobiči přímo na desce předzesilovače. Pro odstranění stejnosměrné složky z výstupu je použito DC servo.

Topologie PRE 3 je komplementárně-symetrická. Vstupní čtveřice JFET je zapojena jako self-bias (průkopníkem zapojení byl John Curl). Tato topologie spolu s vhodnou volbou pracovního proudu vede k maximální linearizaci vstupních obvodů, a minimalizace zkreslení tak není ponechána pouze na celkové záporné zpětné vazbě. Pro odstranění DC složky na výstupu je použito DC servo.

Koncový stupeň PRE 3 používá robustní tranzistory typu MOSFET v zapojení se společnou elektrodou Source a výstupem z Drain. Jde o proudový výstup, který zpětná vazba převádí na napěťový výstup. Zapojení je velmi odolné, zkratuvzdorné, snese jakoukoliv kapacitní zátěž a není náchylné na možné lokální oscilace. Není ale přímo použitelné pro buzení nízkoimpedančních sluchátek.

 

Principiální schéma

 

PRE 3 je linkový předzesilovač, pro použití jako řídicí zesilovač před výkonový zesilovač. PRE 3 není zamýšlený jako sluchátkový zesilovač, a není pro takovou aplikaci vhodný. Je určený pro zatěžovací ompedanci 10k a více, i když je schopen pracovat i do 600 ohm.

Ve vstupní čtveřici jsou použity buď dvojice JFETů 2SK389/2SJ109 (které jsou, bohužel, prakticky nedostupné), nebo jednotlivé JFETy párované na shodu Idss do 3%. Plošný spoj bude k dispozici pro variantu jednotlivých JFETů.

Koncový stupeň PRE 3 používá tranzistory MOSFET 2SK413/2SJ118, s nastaveným klidovým proudem cca 20mA. Výstup je zkratuvzorný a stabilní do jakékoliv kapacitní zátěže. Předpokládaná zatěžovací impedance je 10 kohm a více, i když výstup je schopen pracovat i do 600 ohm.

Poznámky k nastavení

Stavba a oživení předzesilovače jsou bez záludností, ale vyžadují vybavení alespoň digitálním multimetrem a schopnost stavitele pracovat s multimetrem a vybrat odpory R1 a R2 podle naměřených DC napětí. Stavba není vhodná pro toho, kdo by chtěl pouze osadit napevno předepsané hodnoty součástek. V závislosti na velikosti Idss použitých JFETů a i na Vgs a strmosti MOSFETů je nutné vybrat správnou hodnotu R1/R2, a to na základě měření.

Plošné spoje

nyní nejsou k dispozici.

Měření CCIF IMD 13+14kHz pro 1,4Vp-p

 

Technické parametry - budou doplněny

 

Home

Pavel Macura, 1/2011